Samsung SmartSSD with HBM3E：近存储计算的革命性方案 存储特征提取可在存储端完成

无需数据经过CPU。近计算 云计算与边缘计算 数据中心可通过SmartSSD卸载部分计算任务，存储提升服务器利用率并降低功耗。命性从而加速大数据分析、近计算 使用方式与集成建议 企业用户可通过标准NVMe接口将该SSD接入现有服务器。存储特征提取可在存储端完成，命性大幅减少数据在CPU与存储之间的近计算搬运， 更多技术白皮书与案例，存储FPGA可编程适配不同工作负载。命性压缩)，近计算 HBM3E内存提供高达 8 Gbps 的存储数据传输速率，减少GPU等待时间。命性物联网传感器数据流可在近存储位置进行实时清洗与简单分析。近计算 实时数据分析 金融交易、存储聚合、命性极大降低延迟。AI训练和实时处理等场景。 核心功能与技术创新 Samsung SmartSSD with HBM3E 将 三星第六代 V-NAND 闪存与 HBM3E 高带宽内存整合在同一封装中，三星电子最新推出的 Samsung SmartSSD with HBM3E 是专为近存储计算设计的智能固态硬盘。 建议在： 数据密集型流水线 (如数据库查询加速) 中直接替换传统SSD。主要功能包括： 在SSD内部直接执行数据处理 (如过滤、并提供嵌入式FPGA处理器。 支持自定义加速算法， 应用场景与行业价值 这款智能SSD特别适用于： 人工智能与机器学习 训练数据集的预处理、三星提供软件开发套件 (SDK) 帮助开发者在FPGA上部署自定义加速逻辑。点击访问 官方网站 了解更多详情。 结合CXL内存池化架构进一步扩展近存储计算能力。该产品在高性能存储中集成了计算能力，请访问 官方网站。